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  • 型号: BSC080P03LS G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC080P03LS G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC080P03LS G价格参考。InfineonBSC080P03LS G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSC080P03LS G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC080P03LS G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8MOSFET OPTIMOS P-CH -30V -30A 8mOhm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

16 A

Id-连续漏极电流

16 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC080P03LS GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSC080P03LS+G_Rev1.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304314dca38901154a7800621a6c

产品型号

BSC080P03LS G

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

87 ns

下降时间

108 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6140pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

122.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TDSON-8(5.15x6.15)

其它名称

BSC080P03LS G-ND
BSC080P03LS GTR
BSC080P03LSG
BSC080P03LSGAUMA1
SP000359664

典型关闭延迟时间

79 ns

功率-最大值

89W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

TDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

5,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A (Ta), 30A (Tc)

系列

BSC080P03

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

BSC080P03LSGAUMA1 SP000359664

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